由东海自主研发的TaC材料及涂层技术，可应用于SiC外延用涂层盘、UVLED外延用涂层盘、SiC单晶生长部件，我们的TaC涂层解决工艺有以下几大优势：
1、出色的抗热冲击阻力
2、出色的抗物理冲击阻力
3、在高温下，出色的耐化学性（≤2500℃）
4、超高纯度
5、可加工成各种复杂的形状
6、Ta元素和C元素比例为1:1

SiC外延过程基座

UVLED工艺基座

SiC单晶生长坩埚

高温应用（不超过2500℃）

                 Susceptor

                      Jig

                  Crucible